ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSS169 E6327
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSS169 E6327-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
ສິນຄ້າ:
12801928
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSS169 E6327 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 7 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
68 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
Depletion Mode
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
360mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT23
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSS169E6327XT
BSS169 E6327-DG
BSS169E6327
SP000011172
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSS169H6327XTSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
115130
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSS169H6327XTSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.12
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
IPL60R115CFD7AUMA1
HIGH POWER_NEW
BSC0908NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSON
